Одно из ведущих в Восточной Европе предприятий по разработке, корпусированию и тестированию микроэлектронной продукции
9 Декабря 2021

В реестр Минпромторга внесен первый SSD GS Nanotech c интерфейсом PCI Express NVMe

Центр разработки и производства микроэлектроники GS Nanotech получил заключение Минпромторга о подтверждении производства твердотельных накопителей (SSD) PCIe NVMe в форм-факторе U.2 на территории Российской Федерации. Это первый продукт компании с интерфейсом PCI Express NVMe в реестре промышленной продукции, произведенной на территории РФ.

Опытные образцы накопителя PCIe NVMe в форм-факторе U.2, разработанного специально для построения высокопроизводительных систем хранения данных (СХД) на основе all-flash решений, были представлены GS Nanotech в 2020 году.

«В 2020—2021 году мы получили аналогичные заключения Минпромторга на 15 моделей наших SSD в форм-факторах 2,5” и М.2 с интерфейсом SATA III. Теперь в реестр включен и более высокопроизводительный накопитель с интерфейсом PCIe. Признание российского происхождения наших устройств будет способствовать развитию кооперации GS Nanotech с отечественными производителями вычислительной техники и СХД. Такие инструменты стимулируют импортозамещение и технологический прогресс в нашей стране», — сообщил генеральный директор GS Nanotech Олег Ким.

GS Nanotech с 2016 года реализует первый в России проект по разработке и массовому производству SSD — немеханических запоминающих устройств на основе микросхем памяти с управляющим контроллером. В феврале 2018 года предприятие запустило массовое производство SSD собственной разработки. Сегодня производитель предлагает целую линейку твердотельных накопителей потребительского и корпоративного классов емкостью до 2 ТБ в нескольких форм-факторах с интерфейсами SATA III и PCI Express NVMe. В основе SSD использованы произведенные GS Nanotech модули памяти, в составе которых — последнее поколение кристаллов NAND-памяти от ведущих мировых производителей. Весь производственный цикл — разработка и проектирование SSD, корпусирование модулей NAND-памяти, монтаж компонентов на плате, финальная сборка и упаковка изделий — реализован в инновационном кластере «Технополис GS», мощности которого позволяют выпускать более 1 млн твердотельных накопителей в год.

В реестр промышленной продукции, произведенной на территории РФ, включена модель твердотельного накопителя GS SSD cо следующими характеристиками:
  • Форм-фактор: U.2
  • Интерфейс: PCIe NVMe Gen 3x4
  • Емкость: 1 Тбайт
  • Тип памяти: 3D TLC
  • Максимальная скорость последовательного чтения: 3400 Мбайт/с
  • Максимальная скорость последовательной записи: 1200 Мбайт/с
  • Максимальная скорость случайного чтения: 330 000 IOPS
  • Максимальная скорость случайной записи: 29 000 IOPS
  • Температурный диапазон: 0...+70 °C
  • Ресурс записи (TBW): не менее 1347 Тбайт